Рассеяние рентгеновского излучения на электроне. Поглощение и рассеяние рентгеновских лучей
Рассмотренные нами соотношения отражают количественную сторону процесса ослабления рентгеновского излучения. Остановимся кратко на качественной стороне процесса, или на тех физических процессах, которые вызывают ослабление. Это, во-первых, поглощение, т.е. превращение энергии рентгеновского излучения в другие виды энергии и, во-вторых, рассеяние, т.е. изменение направления распространения излучения без изменения длины волны (классическое рассеяние Томпсона) и с изменением длины волны (квантовое рассеяние или комптон-эффект).
1. Фотоэлектрическое поглощение . Рентгеновские кванты могут вырывать с электронных оболочек атомов вещества электроны. Их обычно называют фотоэлектронами. Если энергия падающих квантов невелика, то они выбивают электроны с наружных оболочек атома. Фотоэлектронам сообщается большая кинетическая энергия. С увеличением энергии рентгеновские кванты начинают взаимодействовать с электронами, находящимися на более глубоких оболочках атома, у которых энергия связи с ядром больше, чем электронов наружных оболочек. При таком взаимодействии почти вся энергия падающих рентгеновских квантов поглощается, и часть энергии, отдаваемой фотоэлектронам, меньше, чем в первом случае. Кроме появления фотоэлектронов в этом случае испускаются кванты характеристического излучения за счет перехода электронов с вышележащих уровней на уровни, расположенные ближе к ядру.
Таким образом, в результате фотоэлектрического поглощения возникает характеристический спектр данного вещества – вторичное характеристическое излучение. Если вырывание электрона произошло с K-оболочки, то появляется весь линейчатый спектр, характерный для облучаемого вещества.
Рис. 2.5. Спектральное распределение коэффициента поглощения.
Рассмотрим изменение массового коэффициента поглощения t/r, обусловленное фотоэлектрическим поглощением в зависимости от длины волны l падающего рентгеновского излучения(рис.2.5). Изломы кривой называются скачками поглощения, а соответствующая им длина волны – границей поглощения. Каждый скачек соответствует определенному энергетическому уровню атома K, L, M и т.д. При l гр энергия рентгеновского кванта оказывается достаточной для того, чтобы выбить электрон с этого уровня, в результате чего поглощение рентгеновских квантов данной длины волны резко возрастает. Наиболее коротковолновый скачек соответствует удалению электрона с K-уровня, второй с L-уровня, и т.д. Сложная структура L и M-границ обусловлена наличием нескольких подуровней в этих оболочках. Для рентгеновских лучей с длинами волн несколько большими l гр, энергия квантов недостаточна, чтобы вырвать электрон с соответствующей оболочки, вещество относительно прозрачно в этой спектральной области.
Зависимость коэффициента поглощения от l и Z при фотоэффекте определяется как:
t/r = Сl 3 Z 3 (2.11)
где С – коэффициент пропорциональности, Z – порядковый номер облучаемого элемента, t/r – массовый коэффициент поглощения, l – длина волны падающего рентгеновского излучения.
Эта зависимость описывает участки кривой рис.2.5 между скачками поглощения.
2. Классическое (когерентное) рассеяние объясняет волновая теория рассеяния. Оно имеет место в том случае, если квант рентгеновского излучения взаимодействует с электроном атома, и энергия кванта недостаточна для вырывания электрона с данного уровня. В этом случае, согласно классической теории рассеяния, рентгеновские лучи вызывают вынужденные колебания связанных электронов атомов. Колеблющиеся электроны, как и все колеблющиеся электрические заряды, становятся источником электромагнитных волн, которые распространяются во все стороны.
Интерференция этих сферических волн приводит к возникновению дифракционной картины, закономерно связанной со строением кристалла. Таким образом, именно когерентное рассеяние дает возможность получать картины дифракции, на основании которых можно судить о строении рассеивающего объекта. Классическое рассеяние имеет место при прохождении через среду мягкого рентгеновского излучения с длинами волн более 0,3Å. Мощность рассеяния одним атомом равна:
, (2.12)
а одним граммом вещества
где I 0 – интенсивность падающего рентгеновского пучка, N – число Авогадро, A – атомный вес, Z – порядковый номер вещества.
Отсюда можно найти массовый коэффициент классического рассеяния s кл /r, поскольку он равен P/I 0 или 
.
Подставив все значения, получим 
.
Так как у большинства элементов Z /A@0,5 (кроме водорода), то
т.е. массовый коэффициент классического рассеяния примерно одинаков для всех веществ и не зависит от длины волны падающего рентгеновского излучения.
3. Квантовое (некогерентное) рассеяние . При взаимодействии вещества с жестким рентгеновским излучением (длиной волны менее 0,3Å) существенную роль начинает играть квантовое рассеяние, когда наблюдается изменение длины волны рассеянного излучения. Это явление нельзя объяснить волновой теорией, но оно объясняется квантовой теорией. Согласно квантовой теории такое взаимодействие можно рассматривать как результат упругого столкновения рентгеновских квантов со свободными электронами (электронами внешних оболочек). Этим электронам рентгеновские кванты отдают часть своей энергии и вызывают переход их на другие энергетические уровни. Электроны, получившие энергию, называются электронами отдачи. Рентгеновские кванты с энергией hn 0 в результате такого столкновения отклоняются от первоначального направления на угол y, и будут иметь энергию hn 1 , меньшую, чем энергия падающего кванта. Уменьшение частоты рассеянного излучения определяется соотношением:
hn 1 = hn 0 - E отд, (2.15)
где E отд – кинетическая энергия электрона отдачи.
Теория и опыт показывают, что изменение частоты или длины волны при квантовом рассеянии не зависит от порядкового номера элемента Z , но зависит от угла рассеянияy. При этом
l y - l 0 = l = ×(1 - cos y) @ 0,024 (1 - cosy) , (2.16)
где l 0 и l y – длина волны рентгеновского кванта до и после рассеяния,
m 0 – масса покоящегося электрона, c – скорость света.
Из формул видно, что по мере увеличения угла рассеяния, l возрастает от 0 (при y = 0°) до 0,048 Å (при y = 180°). Для мягких лучей с длиной волны порядка 1Å эта величина составляет небольшой процент примерно 4–5 %. Но для жестских лучей (l = 0,05–0,01 Å) изменение длины волны на 0,05 Å означает изменение l вдвое и даже в несколько раз.
Ввиду того, что квантовое рассеяние некогерентно (различно l, различен угол распространения отраженного кванта, нет строгой закономерности в распространении рассеянных волн по отношению к кристаллической решетке), порядок в расположении атомов не влияет на характер квантового рассеяния. Эти рассеянные рентгеновские лучи участвуют в создании общего фона на рентгенограмме. Зависимость интенсивности фона от угла рассеяния может быть теоретически вычислена, что практического применения в рентгеноструктурном анализе не имеет, т.к. причин возникновения фона несколько и общее его значение не поддается легкому расчету.
Рассмотренные нами процессы фотоэлектронного поглощения, когерентного и некогерентного рассеяния определяют, в основном ослабление рентгеновских лучей. Кроме них возможны и другие процессы, например, образование электронно-позитронных пар в результате взаимодействия рентгеновских лучей с ядрами атомов. Под воздействием первичных фотоэлектронов с большой кинетической энергией, а также первичной рентгеновской флюоресценции, возможно возникновение вторичного, третичного и т.д. характеристического излучения и соответствующих фотоэлектронов, но уже с меньшими энергиями. Наконец, часть фотоэлектронов (а частично и электронов отдачи) может преодолевать потенциальный барьер у поверхности вещества и вылетать за его пределы, т.е. может иметь место внешний фотоэффект.
Все отмеченные явления, однако, значительно меньше влияют на величину коэффициента ослабления рентгеновских лучей. Для рентгеновских лучей с длинами волн от десятых долей до единиц ангстрем, используемых обычно в структурном анализе, всеми этими побочными явлениями можно пренебречь и считать, что ослабление первичного рентгеновского пучка происходит с одной стороны за счет рассеяния и с другой – в результате процессов поглощения. Тогда коэффициент ослабления можно представить в виде суммы двух коэффициентов:
m/r = s/r + t/r , (2.17)
где s/r – массовый коэффициент рассеяния, учитывающий потери энергии за счет когерентного и некогерентного рассеяния; t/r – массовый коэффициент поглощения, учитывающий главным образом потери энергии за счет фотоэлектрического поглощения и возбуждения характеристических лучей.
Вклад поглощения и рассеяния в ослабление рентгеновского пучка неравнозначен. Для рентгеновских лучей, используемых в структурном анализе, некогерентным рассеянием можно пренебречь. Если учесть при этом, что величина когерентного рассеяния также невелика и примерно постоянна для всех элементов, то можно считать, что
m/r » t/r , (2.18)
т.е. что ослабление рентгеновского пучка определяется в основном поглощением. В связи с этим для массового коэффициента ослабления будут справедливы закономерности, рассмотренные нами выше для массового коэффициента поглощения при фотоэффекте.
Выбор излучения . Характер зависимости коэффициента поглощения (ослабления) от длины волны определяет в известной мере выбор излучения при структурных исследованиях. Сильное поглощение в кристалле значительно уменьшает интенсивность дифракционных пятен на рентгенограмме. Кроме того, возникающая при сильном поглощении флюоресценция засвечивает пленку. Поэтому работать при длинах волн, несколько меньших границы поглощения исследуемого вещества, невыгодно. Это можно легко понять из схемы рис. 2.6.
1. Если излучать будет анод, состоящий из тех же атомов, как и исследуемое вещество, то мы получим, что граница поглощения, например
Рис.2.6. Изменение интенсивности рентгеновского излучения при прохождении через вещество.
K-край поглощения кристалла (рис.2.6, кривая 1), будет несколько сдвинут относительно его характеристического излучения в коротковолновую область спектра. Этот сдвиг – порядка 0,01–0,02 Å относительно линий края линейчатого спектра. Он всегда имеет место в спектральном положении излучения и поглощения одного и того же элемента. Поскольку скачок поглощения соответствует энергии, которую надо затратить, чтобы удалить электрон с уровня за пределы атома, самая жесткая линия K-серии соответствует переходу на K-уровень с наиболее далекого уровня атома. Понятно, что энергия E, необходимая для вырывания электрона за пределы атома, всегда несколько больше той, которая освобождается при переходе электрона с наиболее удаленного уровня на тот же K-уровень. Из рис. 2.6 (кривая 1) следует, что, если анод и исследуемый кристалл – одно вещество, то наиболее интенсивное характеристическое излучение, особенно линии K a и K b , лежит в области слабого поглощения кристалла по отношению к границе поглощения. Поэтому поглощение такого излучения кристаллом мало, а флюоресценция слаба.
2. Если мы возьмем анод, атомный номер которого Z на 1 больше исследуемого кристалла, то излучение этого анода, согласно закону Мозли, несколько сместится в коротковолновую область и расположится относительно границы поглощения того же исследуемого вещества так, как это показано на рис. 2.6, кривая 2. Здесь поглощается K b – линия, за счет чего появляется флюоресценция, которая может мешать при съемке.
3. Если разница в атомных номерах составляет 2–3 единицы Z , то спектр излучения такого анода еще дальше сместится в коротковолновую область (рис. 2.6, кривая 3). Этот случай еще более невыгоден, так как, во-первых, рентгеновские излучения сильно ослаблено и, во-вторых, сильная флюоресценция засвечивает пленку при съемке.
Наиболее подходящим, таким образом, является анод, характеристическое излучение которого лежит в области слабого поглощения исследуемым образцом.
Фильтры . Рассмотренный нами эффект селективного поглощения широко используется для ослабления коротковолновой части спектра. Для этого на пути лучей ставится фольга толщиной несколько сотых мм. Фольга изготовлена из вещества, у которого порядковый номер на 1–2 единицы меньше, чем Z анода. В этом случае согласнорис.2.6 (кривая 2) край полосы поглощения фольги лежит между K a - и K b - линиями излучения и K b -линия, а также сплошной спектр, окажутся сильно ослабленными. Ослабление K b по сравнению с K a -излучением порядка 600. Таким образом, мы отфильтровали b-излучение от a-излучения, которое почти не изменяется по интенсивности. Фильтром может служить фольга, изготовленная из материала, порядковый номер которого на 1–2 единицы меньше Z анода. Например, при работе на молибденовом излучении (Z = 42), фильтром могут служить цирконий (Z = 40) и ниобий (Z = 41). В ряду Mn (Z = 25), Fe (Z = 26), Co (Z = 27) каждый из предшествующих элементов может служить фильтром для последующего.
Понятно, что фильтр должен быть расположен вне камеры, в которой производится съемка кристалла, чтобы не было засветки пленки лучами флюоресценции.
АТОМНЫЙ ФАКТОР РАССЕЯНИЯ
Рассеяние рентгеновских лучей на электронах в
атомах
K
S
E S Ee S f S Ee S f ,
1/2
K0
r(r)
e 2 1 1 cos 2 2
Ee E0 2
mc
R
2
f ,
r(r) - распределение электронной
плотности в атоме
S = K - K0
2
s - s0
Для простоты расчетов будем
считать распределение электронов
в атоме сферически симметричной
функцией. Тогда можно записать.
E S
Ee S
Атомный фактор рассеяния
r r
z r r dr
0
Здесь z – число электронов в атоме
Положим, что на атом падает плоская волна
1
K
S
s
E
A0
K0
C
Aj
i t
Пусть в начале координат т.е.
в точке A0 фаза волны равна нулю
0 0
Каждая точка атома (т.е. каждый
s0
rj
B
2
E E0 e
электрон) под действием волны E
начинает излучать сферическую
волну. Электрон находящийся A0
излучает волну
E 0 i t
E A0
e
R
Здесь R расстояние от точки A0 до точки наблюдения M в направлении
вектора s (линии 1 и 2).Первичная плоская достигнет точки Aj имея фазу
j k s0 ,rj
Тогда вторичная сферическая волна 2 излучаемая электроном находящемся
в точке Aj будет иметь вид
1 M
K
s
E
A0
B
C
Aj
2
Будем считать что A0M>>ІrjІ
S
Волна 2 дойдет до точки наблюдения M c
дополнительной фазой за счет отрезка
пути AjC=(s,rj).Следовательно
дополнительная фаза будет равна k(s,rj)
K0
Тогда полная фаза волны 2 дошедшая до
точки M будет иметь вид
s0
rj
EAj
E0 i t k s0 ,rj
e
R
k s,rj k s0 ,rj rjK rjK 0
K - K 0 ,rj S,rj
EM
Aj
E0 i t k s-s0 ,rj E0 i t i Srj
e
e e
R
RПусть падающий пучок
направлен вдоль оси X
Рассчитаем интенсивность
рассеянную элементом
объема dv
dv d dr
r d rsin d drАтом приближенно можно рассматривать как объем с непрерывным
распределением заряда. Выделим в объеме атома элемент объема dv
на расстоянии r от центра атома. Электронную плотность в этой точке
обозначим через r(r). Амплитуда волны рассеянная элементом
объема dv можно записана в виде. (Для упрощения записи опустим R)
dE Ee r r e
ik s s0 ,r
dv Ee r r e
ik S,r
dv
Подставим в это соотношение элемент объема в явном виде. Тогда
суммарная амплитуда рассеянная всеми электронами атома будет
равна интегралу по всему объему
E Ee r r e
iSr cos
dv
V
Ee d r r r 2 dr eiS cos sin d
rВспоминая определение атомного фактора рассеяния
E S Ee S f ,
f S f ,
E S
Ee S
можно переписать написанное выше выражение в виде
f S
2
0
0
0
2
iS cos
d
r
r
r
dr
e
sin d
ia cos x
sin x dx нам уже знаком по предыдущему разделу
Интеграл типа e
ia cos x
e
sin x dx
sin ax
ax
Интегрирование по, и r приводит к выражениюf sin /
0
sin(Sr)
2
4 r r (r)
dr
Sr
Это и есть атомный фактор рассеяния.
Он зависит от распределения
электронной плотности внутри атома.
Исследуем поведение функции f(S). Если
аргумент функции стремится к нулю,
дробь стоящая под интегралом
стремится к единице и следовательноИсследуем поведение функции f(S). Если аргумент функции стремится к
нулю, дробь стоящая под интегралом стремится к единице и
следовательно f(S) приближается к величине Z/
s 0
sin(Sr)
1
Sr
f sin / 4 r 2 r (r) dr z
0
f sin / Z
Если аргумент S растет функция f(S) убывает и стремится к нулю
S 4
sin
sin(Sr)
0
Sr
f sin / 0
Вид зависимости атомной функции рассеяния
от sin / для нейтральных атомов Zn и Al.
(Z для Zn=40 а для Al=13).
10.
Оценки, сделанные выше, выполнены при условии, что электроны ватоме практически свободны и уравнение движения электрона можно
записать в виде mr eE . Реальная ситуация сложнее - электроны в
атомах движутся по своим орбитам и имеют собственные частоты
колебаний и, следовательно необходимо рассматривать задачу
движения связанного электрона под действием внешней периодической
возмущающей силы при движении электрона т.е.mr kr 2r eE . И это
0
еще не все. Необходимо также учесть затухание при движении
электронов. Тогда полное уравнение движения будет иметь вид
mr kr 0 2r eE
В этом случае амплитуда волны, рассеянной на связанном электроне,
может быть записана в виде
2
E E 2
0 2 ik
e
или для всех
электронов в атоме
2
E E 2
2
n 0 n ik
e
Из написанного соотношения видно, что, во-первых, амплитуда
рассеяния представляется комплексным числом и, следовательно,
появляется дополнительное поглощение вблизи собственных
резонансных частот, а, во-вторых, - амплитуда сильно зависит от
частоты падающей волны, т.е. имеется дисперсия. Корректный учет этих
поправок проведен в работах Лоренца.
11.
.Если длина волны падающего излучения достаточно далека от
края полосы поглощения, атомный фактор попросту равен f0 .
Однако при приближении длины волны падающего излучения к
краю полосы поглощения атомный фактор становится
комплексной величиной и его следует записать в виде
f f 0 f i f
где f0 является атомной функцией рассеяния,
полученной в предположении свободных электронов атома, а f" и
f" - дисперсионные поправки, первая из которых учитывает
дополнительное рассеяние для случая связанных электронов, а
вторая - дополнительное поглощение вблизи собственных частот
колебаний электронов в атоме. Дисперсионные поправки зависят
от длины волны и практически не зависят от sin . А так как f0
уменьшается с ростом угла рассеяния, дисперсионные поправки
начинают играть возрастающую роль при больших углах
рассеяния.
Функции атомного рассеяния для случая свободных электронов в атоме в
зависимости от величины sin / и соответствующие дисперсионные поправки в
зависимости от длины волны для всех элементов таблицы Менделеева
приводятся обычно в виде таблиц. Наиболее точные значения этих величин даны
в интернациональных таблицах. (International Tables for X-Ray Crystallography, vol.14, Birmingam, IDC, 1980)
12.
Амплитуда атомного рассеяния электроновВ дифракционных экспериментах наряду с рентгеновским
излучением используются электроны с энергией от десятков до сотен
кэв (электроны с энергией 50кэв имеют длину волны 0.037Å). Путем
несложных выкладок можно показать, что амплитуда атомного
рассеяния для электронов связана с амплитудой атомного рассеяния
рентгеновских лучей следующим выражением
Анализ написанного выражения показывает, что при больших углах
рассеяния, где fx мало, fe> Z и уменьшается обратно пропорционально
(sin /)2 . В электронографии и электронной микроскопии обычно
используется величина, кратная амплитуде атомного рассеяния и
входящая в первое Борновское приближение теории рассеяния
электронов, а именно
13.
Вид функций атомного рассеяния атома водорода длярентгеновских лучей и электронов, рассчитанный в
первом Борновском приближении.
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
14.
Оценки амплитуд атомного рассеяния электронов, сделанные выше,приводят к важным особенностям в применении рассеяния
электронов по сравнению с рентгеновскими лучами. С одной
стороны, более высокая амплитуда рассеяния электронов (на дватри порядка) заметно повышает светосилу дифракционной картины и
наряду с возможностью фокусировки пучка падающих электронов
позволяет исследовать весьма мелкие кристаллы в
поликристаллических системах. С другой стороны, заметное
поглощение электронов с энергией порядка нескольких десятков кэв
открывает выгодную возможность изучения структуры тонких
поверхностных слоев толщиной в 10-6-10-7см. Для сравнения в
рентгенографии при оптимальных условиях регистрируется слой
около 10-2-10-4см.
Более слабая зависимость атомной амплитуды рассеяния
электронов по сравнению с рентгеновскими лучами от атомного
номера позволяет проводить структурные исследования для легких
атомов.
Наличие у электронов спина и магнитного момента открывает
дополнительные возможности для изучения магнитной структуры
материалов.
15.
Функции атомного рассеяния для случаясвободных электронов в атоме в зависимости от
величины sin / и соответствующие
дисперсионные поправки в зависимости от длины
волны для всех элементов таблицы Менделеева
приводятся обычно в виде таблиц. Наиболее
точные значения этих величин даны в
интернациональных таблицах. (International Tables
forX-Ray Crystallography, vol.1-4, Birmingam, IDC,
Дифра́кция рентгеновских лучей - рассеяние рентгеновских лучей кристаллами или молекулами жидкостей и газов, при котором из начального пучка лучей возникают вторичные отклоненные пучки (дифрагированные пучки) той же длины волны, появившиеся в результате взаимодействия первичных рентгеновских лучей с электронами вещества. Направление и интенсивность вторичных пучков зависят от строения рассеивающего объекта. Дифрагированные пучки составляют часть всего рассеянного веществом рентгеновского излучения. Наряду с рассеянием без изменения длины волны наблюдается рассеяние с изменением длины волны - так называемое комптоновское рассеяние. Явление дифракции рентгеновских лучей, доказывающее их волновую природу, впервые было экспериментально обнаружено на кристаллах немецкими физиками М. Лауэ, В. Фридрихом, П. Книппингом в 1912 году.
Кристалл является естественной трехмерной дифракционной решеткой для рентгеновских лучей, так как расстояние между рассеивающими центрами (атомами) в кристалле одного порядка с длиной волны рентгеновских лучей (~1Å=10-8 см). Дифракция рентгеновых лучей на кристаллах можно рассматривать как избирательное отражение рентгеновских лучей от систем атомных плоскостей кристаллической решетки. Направление дифракционных максимумов удовлетворяет одновременно трем условиям, определяемых уравнениями Лауэ.
Дифракционную картину получают от неподвижного кристалла с помощью рентгеновского излучения со сплошным спектром (так называемая лауэграмма) или от вращающегося или колеблющегося кристалла, освещаемого монохроматическим рентгеновским излучением, или от поликристалла, освещаемого монохроматическим излучением. Интенсивность дифрагированного луча зависит от структурного фактора, который определяется атомными факторами атомов кристалла, их расположением внутри элементарной ячейки кристалла, характером тепловых колебаний атомов. Структурный фактор зависит от симметрии расположения атомов в элементарной ячейке. Интенсивность дифрагированного луча зависит от размеров и формы объекта, от совершенства кристалла.
Дифракция рентгеновских лучей от поликристаллических тел приводит к возникновению конусов вторичных лучей. Осью конуса является первичный луч, а угол раствора конуса равен 4J (J - угол между отражающей плоскостью и падающим лучом). Каждый конус соответствует определенному семейству кристаллических плоскостей. В создании конуса участвуют все кристаллики, семейство плоскостей которых расположено под углом J к падающему лучу. Если кристаллики малы и их приходится очень большое количество на единицу объема, то конус лучей будет сплошным. В случае текстуры, то есть наличия предпочтительной ориентировки кристалликов, дифракционная картина (рентгенограмма) будет состоять из неравномерно зачерненных колец.
Посвящается 100-летию открытия дифракции рентгеновских лучей
ОБРАТНОЕ РАССЕЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ (ДИФРАКЦИЯ НА УГОЛ БРЭГГА я/2)
© 2012 г. В. В. Лидер
Институт кристаллографии РАН, Москва E-mail: [email protected] Поступила в редакцию 29.09.2011 г.
Рассмотрены возможности использования обратного рассеяния рентгеновских лучей в рентгеновской оптике и метрологии, а также для структурной характеризации кристаллических объектов разной степени совершенства.
Введение
1. Особенности обратного рассеяния рентгеновских лучей
2. Экспериментальная реализация обратного рассеяния
3. Высокоразрешающая рентгеновская оптика на основе обратного рассеяния
3.1. Монохроматоры
3.2. Анализаторы
3.3. Кристаллическая полость
3.3.1. Кристаллическая полость для формирования когерентного пучка
3.3.2. Кристаллическая полость для времяраз-решающих экспериментов
3.3.3. Кристаллическая полость для рентгеновского лазера на свободных электронах
3.3.4. Рентгеновский резонатор Фабри-Перо
3.3.4.1. Теория резонатора
3.3.4.2. Реализация резонатора
3.3.4.3. Возможности использования резонатора
4. Материалы для монохроматоров и кристаллических зеркал
5. Использование обратного рассеяния для структурной характеризации кристаллов
5.1. Прецизионное определение параметров кристаллической решетки и длин волн источников у-излучения
5.2. Использование ОР для исследования несовершенных (мозаичных) кристаллов
Заключение
ВВЕДЕНИЕ
Из динамической теории рассеяния рентгеновских лучей (РЛ) известно, что ширина кривой дифракционного отражения (КДО) РЛ от совершенного кристалла дается формулой
ю = 2С |%Аг|/й1/281П20. (1)
Здесь 0 - угол Брэгга, %Ьг - реальная часть фурье-компоненты поляризуемости кристалла, поляризационный множитель С = 1 для компонент волнового поля, поляризованных перпендикулярно плоскости рассеяния (ст-поляризация) и С = ео820 для компонент, поляризованных в этой плоскости (я-поляризация); Ь = у(/уе - коэффициент асимметрии брэгговского отражения, у;, уе - направляющие косинусы падающих и дифрагированных РЛ соответственно, (у = 8т(0 - ф), уе = = (0 + ф), ф - угол наклона отражающих плоскостей к поверхности кристалла, который может быть как положительным, так и отрицательным; в геометрии Брэгга |ф| < 0, а в случае Лауэ |ф| > 0).
Поскольку Хнг ^ 10-5, дифракция РЛ происходит в очень узком угловом интервале, не превышающем нескольких угловых секунд. Этот факт, а также зависимость ширины КДО от коэффициента асимметрии широко используются для создания многокомпонентных рентгенооптических систем для формирования рентгеновских пучков (с использованием как лабораторных источников излучения, так и синхротронного излучения (СИ)) с заданными параметрами . Один из основных параметров - спектральная расходимость пучка. Известны многокристальные схемы монохроматоров, использующие антипараллельную геометрию дифракции хотя бы двух оптических элементов и обеспечивающие полосу пропускания, равную нескольким милиэлек-тронвольтам . Такая высокая степень монохроматичности пучка необходима, например, для проведения экспериментов по неупругому и ядерному резонансному рассеянию . Однако применяемая дисперсионная схема дифракции приводит к значительной потере интенсивности рентгеновского пучка на выходе монохроматора, что может усложнить проведение эксперимента.
Обратное рассеяние (ОР) впервые было рассмотрено с точки зрения динамической теории
Рис. 1. Диаграмма ДюМонда для области 0 « п/2; -приемный угол кристалла .
дифракции РЛ на совершенном кристалле Корой и Матсушитой в 1972 г. . В работе отмечались две интересные особенности ОР: при приближении брэгговского угла к 90° спектральная полоса пропускания кристалла резко уменьшается, в то время как его КДО резко увеличивается. Таким образом, открылась возможность создать на основе ОР рентгеновскую светосильную оптику с высоким энергетическим разрешением. В 80-х гг. наблюдался резкий всплеск интереса к ОР . В дальнейшем появилось большое количество публикаций, посвященных использованию обратного рассеяния РЛ в рентгеновской оптике высокого разрешения, метрологии, а также для структурной характеризации различных кристаллических объектов. Работы по теории ОР и резонаторов Фабри-Перо, экспериментальному использованию монохроматоров и сферических анализаторов, прецизионному определению параметров кристаллической решетки и длин волн нескольких источников у-излучения рассмотрены в книге Ю.В. Швидько , и его диссертации . Исследования приповерхностной области кристаллов с помощью метода стоячих рентгеновских волн (СРВ) в геометрии ОР объединены Д.П. Вудруффом в обзорах .
Цель настоящей работы - попытка описания различных возможностей использования обратного рассеяния РЛ, основываясь как на , так и на публикациях, в них не вошедших и появившихся после 2004 г.
1. ОСОБЕННОСТИ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ
С учетом рефракции РЛ "традиционная" форма записи уравнения Вульфа-Брэгга (к = 2dsin0, где к - длина волны РЛ, d - межплоскостное расстояние кристалла) изменится
к(1 + w) = 2d sin 0, (2)
где w = - X0r (d/k)2(1 + 1/b) (X0r - величина отрицательная).
Два параметра, характеризующие рентгенооп-тический кристаллический элемент, - энергетическое (спектральное) разрешение (АЕ)к/Е и длина экстинкции Л:
(АЕ)к/Е = ш ctg е = C|xJ/b1/2sin2e, (3)
Л = MY/Ye)1/2/lxJ. (4)
Для ОР e « п/2, следовательно, С « 1, b « 1, (Y/Ye)1/2 ~ cosф. Тогда (2)-(4) примут вид:
X(1 + w) « 2d(1 - s2/2), (5)
(АЕ)к/Е « Ы, (6)
где в - половинный угол между падающим и дифрагированным рентгеновскими пучками: в =
Комбинируя (6) и (7) и полагая, что X « 2d, получим:
(АЕ)к/Е « d/пЛ = 1/nNd, (8)
где Nd - количество отражающих плоскостей, "укладывающихся" в экстинкционную длину.
Таким образом, энергетическое разрешение обратно пропорционально эффективному количеству отражающих плоскостей, формирующих дифракционную картину. Поскольку наличие в кристалле градиента деформации приводит к уменьшению длины экстинкции , то по величине отклонения энергетического разрешения от его табличного (теоретического) значения можно судить о степени несовершенства кристалла.
С увеличением энергии РЛ экстинкционная длина возрастает, и, как следствие этого, энергетическое разрешение уменьшается. Для Е « 14 кэВ длина экстинкции составляет 10-100 мкм, поэтому (АЕ)к/Е « 10-6-10-7, что соответствует (АЕ)к « « 1-10 мэВ (табл. 1).
Выражение для приемного угла (ширины КДО) можно получить с помощью (5), (6) и рис. 1:
Ю = 2(lXhrl)1/2. (9)
(Строгий вывод (9) на основе динамической теории рассеяния РЛ можно найти в ).
В по экспериментальному наблюдению обратного рассеяния РЛ для рефлекса (620) кристалла германия и излучения Со^а1 измеренная ширина КДО равнялась 35 угл. мин, что примерно на 3 порядка превышает величину ю / для е < < п/2. Формулы (6), (9) справедливы при отклонении угла Брэгга от 90° на величину, не превышающую (2|xJ)1/2 или даже (|Xhrl)1/2 , т.е. равную сотым долям градуса.
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ
Малое угловое расстояние между первичным и дифрагированным пучками создает проблему регистрации последнего, поскольку его траектория
Анализатор (а) 81 ^ 13 13) Детектор
Двухкристальный премонохроматор 81 (111)
Монохроматор 81(13 13 13)
Монохроматор Ионизационная Образец (г) камера
Твердотельный
детектор детектор
Рис. 2. Схемы экспериментальных станций для изучения ОР (а, в, г), определения параметра решетки Ge (б) и сапфира (д), изучения волнового поля СРВ в условии ОР (е), использующие различные способы регистрации ОР; б: 1 - премонохроматор, 2 - плоскопаралльный дефлектор, 2 - клиновидный дефлектор, 3 - термостатируемый образец, 4 - детектор; д: М - премонохроматор, Е - фольга Fe57, В - прозрачный времяразрешающий детектор; е: 1 - премонохроматор, 2 - первый кристаллический отражатель, 3 - второй (термостатируемый) отражатель, являющийся одновременно анализатором и CCD-детектором, 4 - фотопленка, 5 - детектор. Для наглядности первичный и рассеянный пучки разнесены (в, г).
может быть перекрыта источником рентгеновского излучения (предварительным монохрома-тором) или детектором. Существует несколько способов решения проблемы.
Первый состоит в увеличении расстояния между узлами экспериментальной станции (например, между оптическим элементом, обеспе-
чивающим обратное рассеяние РЛ, и детектором). Одна из подобных станций Европейского синхротронного центра (ESRF) описана в . Благодаря большому расстоянию между предварительным монохроматором 81 (111) и монохро-матором 81(13 13 13) (рис. 2а) удалось получить для Е = 25.7 кэВ угол Брэгга, равный 89.98°.
<111> ■■-
Рис. 3. Ход лучей в моноблочном монохроматоре.
При расстоянии между плечами монохроматора
197 мм, для рефлекса 81(777) и Е = 13.84 кэВ предельный угол Брэгга равняется 89.9° .
Для лабораторных экспериментальных установок увеличение расстояния между оптическими элементами часто сопряжено с трудностями. Поэтому другая возможность реализации обратного рассеяния РЛ - "развести" первичный и дифрагированный пучки. На левом рис. 2б приведена схема эксперимента по определению параметра решетки германия . Здесь дефлектор 2, представляющий собой тонкую плоскопараллельную кристаллическую пластину, отражает предварительно монохроматизированный рентгеновский пучок на образец 3, но при 2е > юдеф (юдеф - приемный угол дефлектора) оказывается прозрачным для дифрагированного пучка. При этом для детектора 4 область углов 2е < юдеф является "мертвой зоной". Для того чтобы рассеянные РЛ регистрировались детектором при е = 0, в предложено использовать в качестве дефлектора клиновидный кристалл 2 (правая часть рис. 2б). Тогда из-за поправки на рефракцию РЛ брэгговские углы для разных сторон дефлектора (который в данной схеме может служить также анализатором), согласно (2),
БЛАГОВ А.Е., КОВАЛЬЧУК М.В., КОН В.Г., ПИСАРЕВСКИЙ Ю.В., ПРОСЕКОВ П.А. - 2010 г.
ИРЖАК Д. В., РОЩУПКИН Д. В., СНИГИРЕВ А. А., СНИГИРЕВА И. И. - 2011 г.
БЛАГОВ А.Е., КОВАЛЬЧУК М.В., КОН В.Г., МУХАМЕДЖАНОВ Э.Х., ПИСАРЕВСКИЙ Ю.В., ПРОСЕКОВ П.А. - 2011 г.
При работе на повышенных напряжениях , как и при рентгенографии на обычных напряжениях, необходимо использовать все известные способы борьбы с рассеянным рентгеновским излучением.
Количество рассеянных рентгеновых лучей уменьшается с уменьшением поля облучения, что достигается ограничением в поперечнике рабочего пучка рентгеновых лучей. С уменьшением поля облучения, в свою очередь, улучшается разрешающая способность рентгеновского изображения, т. е. уменьшается минимальный размер определяемой глазом детали. Для ограничения в поперечнике рабочего пучка рентгеновых лучей далеко еще недостаточно используются сменные диафрагмы или тубусы.
Для уменьшения количества рассеянных рентгеновых лучей следует применять, где это возможно, компрессию. При компрессии уменьшается толщина исследуемого объекта и, само собой разумеется, становится меньше центров образования рассеянного рентгеновского излучения. Для компрессии используются специальные компрессионные пояса, которые входят в комплект рентгенодиагностических аппаратов, но они недостаточно часто используются.
Количество рассеянного излучения уменьшается с увеличением расстояния между рентгеновской трубкой и пленкой. При увеличении этого расстояния и соответствующем диафрагмировании получается менее расходящийся в стороны рабочий пучок рентгеновых лучей. При увеличении расстояния между рентгеновской трубкой и пленкой необходимо уменьшать поле облучения до минимально возможных размеров. При этом не должна «срезаться» исследуемая область.
С этой целью в последних конструкциях рентгенодиагностических аппаратов предусмотрен пирамидальный тубус со световым центратором. С его помощью достигается возможность не только ограничить снимаемый участок для повышения качества рентгеновского изображения, но и исключается излишнее облучение тех частей тела человека, которые не подлежат рентгенографии.
Для уменьшения количества рассеянных рентгеновых лучей исследуемую деталь объекта следует максимально приближать к рентгеновской пленке. Это не относится к рентгенографии с непосредственным увеличением рентгеновского изображения. При рентгенографии с непосредственным увеличением изображения рассеянное изучение практически не достигает рентгеновской пленки.
Мешочки с песком, используемые для фиксации исследуемого объекта, надо располагать дальше от кассеты, так как песок является хорошей средой для образования рассеянного рентгеновского излучения.
При рентгенографии
, производимой на столе без использования отсеивающей решетки, под кассету или конверт с пленкой следует подкладывать лист просвинцованной резины возможно больших размеров.
Для поглощения рассеянных рентгеновых лучей
применяются отсеивающие рентгеновские решетки, которые поглощают эти лучи при выходе их из тела человека.
Освоение техники производства рентгеновских снимков при повышенных напряжениях на рентгеновской трубке является именно тем путем, который приближает нас к идеальному рентгеновскому снимку, т. е. такому снимку, на котором хорошо видны в деталях и костная, и мягкая ткани.
Загрузка...